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化 物語 スロット 朝 イチ 富士電機は2015年8月5日、パワー半導体の新製品として、第7世代「Xシリーズ」IGBTモジュールのサンプル出荷を開始した。1200V耐圧製品からサンプル出荷を開始し、650V/1700V耐圧製品のラインアップを順次拡充するという。

 今回発売されるモジュールは、構成要素であるIGBT素子やダイオード素子の厚みを薄くして微細化することで、素子構造を最適化した。これにより、同社従来製品の第6世代「Vシリーズ」に比べ、インバータ動作時の電力損失を低減。搭載機器の省エネと電力コストを削減できる。

 また、新開発の絶縁基板によってモジュールの放熱性が向上し、電力損失の低減と併せて発熱を抑制するため、従来のモジュールに比べて約36%小型化している。さらに、連続動作時の最大保証温度を従来の150℃から175℃にしたことで、搭載機器のサイズを維持しつつ、出力電流を最大35%増やすことができる。

 定格電流は、定格電圧650Vが10~600A、1200Vが10~1800A、1700Vが75~1800A。モジュールの構造・使用材料の見直しにより、高温動作時の安定性や耐久性も向上し、設備・機器の小型・省スペース化、高信頼性のニーズに対応するとしている。

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